921X光纜大衰耗點(diǎn)產(chǎn)生的幾種現(xiàn)象和原因

    1、敷設(shè)時(shí)產(chǎn)生的大衰耗點(diǎn)

    在光纜施工中，由于光纜敷設(shè)長(zhǎng)度一般在２～３KM直埋敷設(shè)時(shí)，穿越的障礙物較多，在施工中，敷設(shè)人員較多，敷設(shè)距離較遠(yuǎn)，難以保證所有敷設(shè)人員協(xié)調(diào)行動(dòng)，特別是通過障礙物較多時(shí)，如：穿　越防護(hù)鋼管，拐彎、上下坡等，從而出現(xiàn)俗稱的光纜打背扣（出現(xiàn)死彎）現(xiàn)象，對(duì)光纜造成嚴(yán)重傷害，一旦發(fā)生死彎現(xiàn)象，此處必然會(huì)出現(xiàn)一個(gè)大衰耗點(diǎn)，嚴(yán)重的會(huì)發(fā)生部分或全部光纖斷裂現(xiàn)象，這是光纜　施工中容易出現(xiàn)的故障現(xiàn)象。此外，在敷設(shè)光纜時(shí)，光纜端頭的光纜zui容易受到損傷，在接續(xù)時(shí)，往往在接續(xù)點(diǎn)處顯示有較大衰耗值，此時(shí)，即使多次重復(fù)熔接，也不能降低接續(xù)損耗值，從而形成一個(gè)較大的衰耗點(diǎn)。

    2、接續(xù)過程中產(chǎn)生的大衰耗點(diǎn)

    在光纜接續(xù)過程中，產(chǎn)生大衰耗點(diǎn)是經(jīng)常發(fā)生的，我們一般用OTDR（光時(shí)域反射儀）進(jìn)行監(jiān)測(cè)，即每熔接一根光纖，都用OTDR測(cè)試一下熔接點(diǎn)的衰耗值，具體測(cè)試時(shí)，采用雙向監(jiān)測(cè)法，由于光纖制造過程中存在的差異性，兩根光纖不可能*一致，總是存在模場(chǎng)直徑不一致現(xiàn)象，從而導(dǎo)致了用OTDR所測(cè)的損耗值并不是接續(xù)點(diǎn)的實(shí)際損耗值，其數(shù)值有正有負(fù)，一般用雙向測(cè)試值的算術(shù)平均值作為實(shí)際衰耗值。在接續(xù)時(shí)，一般用實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)法，基本能保證熔接損耗達(dá)到控制目標(biāo)，但經(jīng)常產(chǎn)生大損耗點(diǎn)的原因是在熔接完畢后進(jìn)行光纖收容時(shí)，部分光纖受壓或彎曲半徑過小，即形成一個(gè)大衰耗點(diǎn)。因?yàn)?550nm波長(zhǎng)的光纖對(duì)微彎損耗非常敏感，光纖一旦受壓，即產(chǎn)生一個(gè)微彎點(diǎn)，或盤纖時(shí)，彎曲半徑過小，光纖信號(hào)在此處也產(chǎn)生較大的衰耗，表現(xiàn)在光纖后向散射曲線上，就形成了一個(gè)較大的衰耗臺(tái)階；另外，一個(gè)比較容易忽視的原因是光纜接頭盒組裝完成后，固定接頭盒和固定光纜時(shí)，由于光纜在接頭盒內(nèi)固定的不是很牢固，造成光纜擰轉(zhuǎn)，使光纖束管變形，由于光纖受壓，造成光纖衰耗值急劇增加，形成衰耗臺(tái)階。

    3、運(yùn)輸和裝卸造成的大衰耗點(diǎn)

    在光纜運(yùn)輸?shù)绞┕がF(xiàn)場(chǎng)時(shí)，由于現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境比較惡劣，特別是敷設(shè)鐵路通信光纜時(shí)，吊車往往無法到達(dá)施工現(xiàn)場(chǎng)，此時(shí)，常常是通過人力裝卸光纜，在光纜卸下的過程中，外層光纜經(jīng)常受到損傷，原因是光纜盤直徑過小，導(dǎo)致外層光纜離地面距離過近，由于現(xiàn)場(chǎng)地面土質(zhì)軟硬不一，崎嶇不平，在滾動(dòng)光纜盤的過程中，光纜盤陷入地面，導(dǎo)致外層光　纜被地面硬物硌壞，主要原因是部分廠家為降低生　產(chǎn)成本，采用較小的光纜盤。此外，光纜盤未用木板進(jìn)行包封（有些是鐵架光纜盤，無法用木板進(jìn)行包封），而僅用塑料布在光纜外層進(jìn)行包裹，或者是單盤測(cè)試后，光纜盤包封未恢復(fù)，起不到應(yīng)有的防護(hù)作用，當(dāng)光纜外層被石頭等硬物硌傷后，光纖在束管中受壓，即產(chǎn)生一個(gè)衰耗臺(tái)階，表現(xiàn)在光纖后向散射曲線上，就形成一個(gè)較大的衰耗點(diǎn)。

    4、成端過程中產(chǎn)生的大衰耗點(diǎn)

    在光纜成端過程中，也經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生大衰耗點(diǎn)。在成端時(shí)，由于一般不進(jìn)行熔接損耗監(jiān)測(cè)，僅憑經(jīng)驗(yàn)操作，因此，產(chǎn)生大衰耗點(diǎn)的幾率也大增。此外，在光纖熔接后安裝收容盤時(shí)，往往造成收容盤附近　的光纖束管彎曲半徑過小或造成光纖束管擰轉(zhuǎn)變形，使光纖在此處產(chǎn)生一個(gè)較大的衰耗點(diǎn)，此類大衰耗點(diǎn)一般比較隱蔽，不像線路中間的大衰耗點(diǎn)用OTDR可以直接測(cè)出。